長久以來，工程師在設計電子産品時，最無法的是産品所産生之電磁波之干擾，亦是所有設計工程之問題，針對業界之需求，敞公司更積極投入EMI CLIP之設計開發，尤其在設計産品時，對是否侵犯他人專利特別注意，爲保護客戶權益也爲了保護權，所研發出來之産品，已向專利局申請多項專利。 目前公司已開發之彈片類型如下：
☆ 下壓幅度均勻。 ☆ 面接觸：下壓後接觸面大，導通性佳，EMI 效果佳。 ☆ 設下壓止高檔版，防止下壓極限。 ☆ 接觸阻抗係數0.23mΩ 。 ☆ 可依客戶需求鍍Sn 或鍍Au。 ☆ 可依客戶需求選擇材質、高度，PAD。 ☆ 底部斷差可防止爬錫現象發生，影響彈性變量
☆ 下壓幅度均勻。 ☆ 面接觸：下壓後接觸面大，導通性佳，EMI 效果佳。 ☆ 設下壓止高檔版，防止下壓極限。 ☆ 接觸阻抗係數0.23mΩ 。 ☆ 可依客戶需求鍍Sn 或鍍Au。 ☆ 可依客戶需求選擇材質、高度，PAD。 ☆ 底部斷差可防止爬錫現象發生，影響彈性變量。
☆ 下壓幅度均勻。 ☆ 面接觸一下壓後接觸面大，導通性佳。 ☆ 底部止止高檔版，防足下壓極限。 ☆ 接觸阻抗係數0.23mΩ 。 ☆ 可依客户需求鍍Sn OR 鍍 Au。 ☆ 可依客戶需求選擇材質，可依客戶需求高，PAD製作。底部斷差可防止爬錫。
